Silicon NPN Power Transistors TO-3PH package The part 2SD1428 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in general-purpose amplification and switching applications. The key specifications for the 2SD1428 transistor are as follows:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 150 V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 150 V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5 V
- **Collector Current (IC):** 1.5 A
- **Collector Dissipation (PC):** 1 W
- **Junction Temperature (Tj):** 150 °C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55 to 150 °C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at VCE = 5 V, IC = 0.5 A)
- **Transition Frequency (fT):** 80 MHz (at VCE = 10 V, IC = 0.5 A, f = 1 MHz)
- **Package:** TO-92MOD

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SD1428 transistor.