Silicon Diffused Power Transistor(GENERAL DESCRIPTION) The 2SD1427 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in high-speed switching and amplification applications. Key specifications include:

- Collector-Base Voltage (VCBO): 150 V
- Collector-Emitter Voltage (VCEO): 150 V
- Emitter-Base Voltage (VEBO): 5 V
- Collector Current (IC): 1.5 A
- Collector Dissipation (PC): 20 W
- Junction Temperature (Tj): 150°C
- Storage Temperature (Tstg): -55°C to 150°C
- DC Current Gain (hFE): 60 to 320
- Transition Frequency (fT): 50 MHz

The transistor is housed in a TO-220 package.