Low frequency power amplifier Collector to base voltage VCBO 120 V The part 2SD1419 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by HITACHI. Its specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 120V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 20W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = 2V)
- **Transition Frequency (fT):** 50MHz (at IC = 0.5A, VCE = 10V, f = 100MHz)
- **Package:** TO-220

These specifications are based on the standard operating conditions provided by HITACHI for the 2SD1419 transistor.