Silicon NPN Power Transistors TO-220F package The 2SD1415A is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type:** NPN
- **Material:** Silicon
- **Structure:** Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 150V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 150V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 20W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Transition Frequency (fT):** 30MHz
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SD1415A transistor as provided by Toshiba.

Silicon NPN Power Transistors TO-220F package The part 2SD1415A is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in general-purpose amplification and switching applications. The key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 150V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 150V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 10W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at VCE = 5V, IC = 0.5A)
- **Transition Frequency (fT):** 50MHz (min)
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SD1415A transistor and are based on the manufacturer's datasheet.