Silicon NPN Power Transistors TO-220Fa package The 2SD1413 is a silicon NPN transistor manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 150V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 150V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 1.5A
- **Power Dissipation (Pc)**: 20W
- **DC Current Gain (hFE)**: 60-320
- **Transition Frequency (ft)**: 50MHz
- **Operating Temperature**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SD1413 transistor and are used in various amplification and switching applications.

Silicon NPN Power Transistors TO-220Fa package The 2SD1413 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 150V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 150V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 20W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 50MHz
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SD1413 transistor.