6A; 25W; V(ceo): 250V; NPN darlington transistor The 2SD1410 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications from the TOS (Toshiba) datasheet:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 150V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 150V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 1.5A
- **Collector Dissipation (Pc)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 320 (at Vce=5V, Ic=0.5A)
- **Transition Frequency (ft)**: 50MHz (min)
- **Package**: TO-92MOD

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the conditions and test methods described therein.

6A; 25W; V(ceo): 250V; NPN darlington transistor The 2SD1410 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type:** NPN
- **Material:** Silicon
- **Structure:** Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 150V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 150V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 20W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 40 to 320
- **Transition Frequency (fT):** 60MHz
- **Package:** TO-220

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SD1410 transistor.