TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (DARLINGTON POWER) IGNITER APPLICATIONS, HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS The 2SD1409A is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Here are its key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 150V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 150V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 80MHz
- **Package**: TO-92MOD

These specifications are typical for the 2SD1409A transistor and are based on Toshiba's datasheet.