TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE POWER AMPLIFIER APPLICATIONS The 2SD1407A is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by TOSHIBA. It is designed for use in high-speed switching and amplification applications. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Transistor
- **Package**: TO-220F
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 150 V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 150 V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5 V
- **Collector Current (IC)**: 12 A
- **Collector Dissipation (PC)**: 40 W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150 °C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55 to 150 °C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at IC = 5 A, VCE = 2 V)
- **Transition Frequency (fT)**: 20 MHz (at IC = 1 A, VCE = 10 V)
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat))**: 0.5 V (at IC = 5 A, IB = 1 A)

These specifications are based on the typical performance characteristics of the 2SD1407A transistor as provided by TOSHIBA.