TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE POWER AMPLIFIER APPLICATIONS The 2SD1407A is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by TOS (Toshiba). Below are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial planar
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 150 V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 150 V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5 V
- **Collector Current (IC)**: 1.5 A
- **Collector Dissipation (PC)**: 20 W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at IC = 0.5 A, VCE = 5 V)
- **Transition Frequency (fT)**: 60 MHz (at IC = 0.5 A, VCE = 5 V, f = 100 MHz)
- **Package**: TO-220F (isolated type)

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba.