Silicon NPN Power Transistors TO-220Fa package The 2SD1406 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications from the TOS (Toshiba) datasheet:

- **Type**: NPN Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 150 V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 150 V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5 V
- **Collector Current (IC)**: 1.5 A
- **Collector Dissipation (PC)**: 20 W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150 °C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55 to 150 °C
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 320 (at IC = 0.5 A, VCE = 5 V)
- **Transition Frequency (fT)**: 20 MHz (at IC = 0.5 A, VCE = 5 V)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to standard operating conditions.

Silicon NPN Power Transistors TO-220Fa package The 2SD1406 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by FUJI. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 150V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 150V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 1.5A
- **Collector Dissipation (Pc)**: 20W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (ft)**: 30MHz
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SD1406 transistor and are subject to standard manufacturing variations.

Silicon NPN Power Transistors TO-220Fa package The 2SD1406 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type:** NPN
- **Material:** Silicon
- **Structure:** Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 150V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 150V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 20W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 40 to 320 (at VCE = 5V, IC = 0.5A)
- **Transition Frequency (fT):** 50MHz (at VCE = 10V, IC = 0.5A, f = 100MHz)
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SD1406 transistor as provided by Toshiba.