Silicon Diffused Power Transistor(GENERAL DESCRIPTION) The 2SD1403 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by SANYO. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 150V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 150V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 20W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 50MHz
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SD1403 transistor as provided by SANYO.

Silicon Diffused Power Transistor(GENERAL DESCRIPTION) The 2SD1403 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in high-speed switching applications. Key specifications include:

- Collector-Base Voltage (VCBO): 150V
- Collector-Emitter Voltage (VCEO): 150V
- Emitter-Base Voltage (VEBO): 5V
- Collector Current (IC): 1.5A
- Total Power Dissipation (PT): 20W
- Junction Temperature (Tj): 150°C
- Storage Temperature (Tstg): -55°C to 150°C
- Transition Frequency (fT): 60MHz
- DC Current Gain (hFE): 40 to 320

The transistor is packaged in a TO-220F (isolated) form factor.