NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TYPE SILICON TRANSISTOR FOR HORIZONTAL OUTPUT (BUILT-IN DAMPER DIODE) The 2SD1396 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by SANYO. It is designed for use in high-speed switching and amplification applications. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 3A
- **Total Power Dissipation (PT):** 30W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = 1A, VCE = 2V)
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz (at IC = 1A, VCE = 2V, f = 100MHz)
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SD1396 transistor as provided by SANYO.