NPN SILICON EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR The 2SD1392 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in high-speed switching applications and features the following specifications:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 3A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 400
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz
- **Package:** TO-92MOD

These specifications are typical for the 2SD1392 transistor and are subject to variations based on operating conditions and manufacturing tolerances.

NPN SILICON EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR The 2SD1392 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by NEC. It is designed for use in high-speed switching and amplification applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 150V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 160V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 5V
- **Collector Current (Ic):** 1.5A
- **Total Power Dissipation (Ptot):** 20W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Transition Frequency (ft):** 80MHz
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320

The transistor is housed in a TO-220 package, which is a common through-hole package for power transistors. It is suitable for applications requiring high voltage and current handling capabilities.