Power Transistor (80V, 1A) The 2SD1381F is a transistor manufactured by ROHM Semiconductor. Below are the factual specifications based on Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: TO-220F (fully molded, lead-free)
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 160V
- **Collector Current (Ic)**: 3A
- **Collector Power Dissipation (Pc)**: 25W
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at Ic = 0.5A, Vce = 5V)
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Applications**: General-purpose amplification and switching applications

These specifications are typical for the 2SD1381F transistor as provided by ROHM. For precise details, always refer to the official datasheet.

Power Transistor (80V, 1A) The 2SD1381F is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by ROHM. Here are its key specifications:

- **Type**: NPN Transistor
- **Package**: TO-220F
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 160V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 160V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 3A
- **Collector Dissipation (PC)**: 25W
- **DC Current Gain (hFE)**: 60-320
- **Transition Frequency (fT)**: 50MHz
- **Operating Temperature**: -55°C to +150°C

These specifications are typical for the 2SD1381F transistor as provided by ROHM.