Low frequency power amplifier. Collector to base voltage VCBO 20 V The part 2SD1367 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by HITACHI. Its key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 900mW
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at VCE = 5V, IC = 0.5A)
- **Transition Frequency (fT):** 120MHz (at VCE = 10V, IC = 0.5A, f = 100MHz)
- **Package:** TO-92MOD

This transistor is commonly used in general-purpose amplification and switching applications.