Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington For midium speed power switching The 2SD1327 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Panasonic. It is designed for use in general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 120V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 2A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = 2V)
- **Transition Frequency (fT):** 120MHz
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C
- **Package:** TO-92

These specifications are typical for the 2SD1327 transistor and are subject to standard manufacturing variations.