Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington For midium speed power switching The part 2SD1326 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Panasonic. It is designed for use in general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 60V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 80V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 400 (at IC = 0.5A, VCE = 2V)
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz (at IC = 0.5A, VCE = 2V, f = 100MHz)
- **Package:** TO-92

These specifications are typical for the 2SD1326 transistor under standard operating conditions.