SI NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR DARLINGTON The part 2SD1321 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by TOSHIBA. Its key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 60V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 80V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1A
- **Total Power Dissipation (PT):** 10W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at VCE = 5V, IC = 0.5A)
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz (min)
- **Package:** TO-220

These specifications are based on TOSHIBA's datasheet for the 2SD1321 transistor.