Si NPN triple diffused planar darlington. Medium speed power switching. The part 2SD1319 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by MAT (Matsushita Electronics Corporation). Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 60V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 80V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 1.5A
- **Total Power Dissipation (Ptot)**: 10W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Transition Frequency (ft)**: 100MHz
- **DC Current Gain (hFE)**: 60-320
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SD1319 transistor as provided by MAT.