Si NPN triple diffused planar darlington. Medium speed power switching. The 2SD1315 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in general-purpose amplifier and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 60V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 80V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 3A
- **Collector Dissipation (PC):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = 1A, VCE = 2V)
- **Transition Frequency (fT):** 30MHz (at IC = 1A, VCE = 2V, f = 100MHz)
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SD1315 transistor and are subject to variation based on operating conditions and manufacturer tolerances.