POWER TRANSISTORS(25A,350V,200W) The part 2SD1313 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 150V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 160V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 20W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = 5V)
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz (at IC = 0.5A, VCE = 5V, f = 1MHz)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SD1313 transistor.