NPN SILICON TRANSISTOR The 2SD1312 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by NEC. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 60V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 80V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 120-400 (at IC = 0.5A, VCE = 5V)
- **Transition Frequency (fT)**: 150MHz (at IC = 0.5A, VCE = 5V)
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the standard operating conditions provided by NEC for the 2SD1312 transistor.