NPN SILICON EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER AND LOW SPEED SWITCHING INDUSTRIAL USE The 2SD1308 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by NEC. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400 (at IC = 0.5A, VCE = 5V)
- **Transition Frequency (fT)**: 150MHz (at IC = 0.5A, VCE = 5V, f = 100MHz)
- **Package**: TO-92

These specifications are typical for the 2SD1308 transistor as provided by NEC.