Silicon NPN Epitaxial The 2SD1306NDTL-E is a transistor manufactured by Renesas. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: TO-252 (DPAK)
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 60V
- **Collector Current (Ic)**: 3A
- **Power Dissipation (Pd)**: 2W
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400 (at Ic = 1A, Vce = 5V)
- **Transition Frequency (fT)**: 150MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Applications**: General-purpose amplification and switching

This information is based on the standard specifications provided by Renesas for the 2SD1306NDTL-E transistor.