Si NPN epitaxial planar high voltage AF amplifier. The 2SD1305 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Panasonic. Here are its key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 60V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 80V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 3A
- **Collector Dissipation (Pc)**: 30W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at Ic = 0.5A, Vce = 5V)
- **Transition Frequency (ft)**: 20MHz (at Ic = 0.5A, Vce = 5V)
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SD1305 transistor and are subject to standard manufacturing tolerances.