Small-signal device The 2SD1302 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Transistor
- **Package**: TO-220
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 150V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 150V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 8A
- **Total Power Dissipation (PT)**: 40W
- **Junction Temperature (TJ)**: 150°C
- **Storage Temperature (TSTG)**: -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at IC = 4A, VCE = 2V)
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz (min)
- **Applications**: Designed for use in general-purpose amplification and switching applications.

These specifications are based on the standard datasheet provided by KEC for the 2SD1302 transistor.