PNP SILICON EPITAXIAL/NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER The part 2SD1289 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by NEC. It is designed for use in high-speed switching and amplification applications. The key specifications for the 2SD1289 transistor are as follows:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 120V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Total Power Dissipation (PT):** 1W (at 25°C)
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at VCE = 2V, IC = 0.5A)
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz (typical)
- **Collector Capacitance (Cob):** 25pF (typical)

The transistor is packaged in a TO-92 package, which is a small, through-hole package commonly used for low-power transistors.