Power Device The 2SD1276A is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Panasonic. Here are its key specifications:

- **Type**: NPN Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 120V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 3A
- **Collector Dissipation (Pc)**: 30W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (ft)**: 30MHz
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SD1276A transistor and are used in various amplification and switching applications.

Power Device The part 2SD1276A is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by 松下 (Panasonic). Its key specifications include:

- **Type**: NPN Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 60V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 80V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 3A
- **Power Dissipation (PC)**: 25W
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SD1276A transistor.

Power Device The part 2SD1276A is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by MAT (Matsushita Electronics Corporation). Below are the factual specifications for the 2SD1276A:

- **Type**: NPN Transistor
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 120V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 1.5A
- **Collector Dissipation (Pc)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at Vce = 2V, Ic = 0.5A)
- **Transition Frequency (ft)**: 120MHz (at Vce = 10V, Ic = 0.5A, f = 100MHz)
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the manufacturer's datasheet for the 2SD1276A transistor.