Power Device The 2SD1275A is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Panasonic. It is designed for use in general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 60V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 80V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 3A
- **Collector Dissipation (PC):** 25W
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -55°C to +150°C

The transistor is available in a TO-220 package.

Power Device The part 2SD1275A is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by MAT (Matsushita Electronics Corporation). Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 60V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 80V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 3A
- **Collector Dissipation (Pc)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (ft)**: 20MHz
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the datasheet provided by MAT for the 2SD1275A transistor.