Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification) The 2SD1274 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Here are its key specifications:

- **Type:** NPN
- **Material:** Silicon
- **Package:** TO-220F
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 120V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 3A
- **Collector Dissipation (PC):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = 1A, VCE = 2V)
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz (at IC = 1A, VCE = 10V, f = 100MHz)
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)):** 0.5V (max) (at IC = 3A, IB = 0.3A)

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SD1274 transistor.