Power Device The 2SD1272 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Panasonic. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 60V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 80V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 3A
- **Collector Dissipation (Pc)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at Vce=5V, Ic=0.5A)
- **Transition Frequency (ft)**: 20MHz (min)
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SD1272 transistor as provided by Panasonic.

Power Device The part 2SD1272 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Samsung. It is designed for use in general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 60V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 80V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 5V
- **Collector Current (Ic):** 2A
- **Collector Dissipation (Pc):** 1W
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 400
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C

The transistor is packaged in a TO-92 form factor.

Power Device The 2SD1272 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Package**: TO-220
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 120V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 8A
- **Power Dissipation (Pd)**: 40W
- **DC Current Gain (hFE)**: 60-320
- **Transition Frequency (ft)**: 20MHz
- **Operating Temperature**: -55°C to +150°C

These specifications are typical for the 2SD1272 transistor as provided by Fairchild Semiconductor.