IC Phoenix logo

Home ›  2  › 221 > 2SD1271A

2SD1271A from ROHM

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

0.000ms

2SD1271A

Manufacturer: ROHM

Power Device

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
2SD1271A ROHM 54 In Stock

Description and Introduction

Power Device The 2SD1271A is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by ROHM. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Transistor
- **Package**: TO-220F
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 120V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 3A
- **Collector Dissipation (Pc)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (ft)**: 30MHz

These specifications are typical for the 2SD1271A transistor as provided by ROHM.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
2SD1271A 松下 24 In Stock

Description and Introduction

Power Device The part 2SD1271A is a silicon NPN epitaxial planar type transistor manufactured by 松下 (Panasonic). Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Transistor
- **Package**: TO-220F
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 120V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 3A
- **Collector Dissipation (PC)**: 20W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at IC = 1A, VCE = 2V)
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz (min)
- **Applications**: General-purpose amplification and switching.

This transistor is commonly used in power amplification and switching circuits.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
2SD1271A Panasonic 23 In Stock

Description and Introduction

Power Device The 2SD1271A is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Panasonic. Here are its key specifications:

- **Type**: NPN Transistor
- **Package**: TO-220F
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 120V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 3A
- **Collector Dissipation (Pc)**: 20W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at Vce=2V, Ic=0.5A)
- **Transition Frequency (ft)**: 20MHz (min)
- **Applications**: General-purpose amplification and switching

These specifications are based on the datasheet provided by Panasonic for the 2SD1271A transistor.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips