Power Device The part 2SD1269 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by various companies, including Panasonic. Below are the key specifications for the 2SD1269 transistor:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 60V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 80V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V
- **Collector Current (I_C)**: 1.5A
- **Total Power Dissipation (P_TOT)**: 10W
- **Junction Temperature (T_j)**: 150°C
- **DC Current Gain (h_FE)**: 60 to 320 (depending on the operating conditions)
- **Transition Frequency (f_T)**: 120MHz
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SD1269 transistor and may vary slightly depending on the manufacturer. Always refer to the specific datasheet provided by the manufacturer for precise details.

Power Device The part 2SD1269 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (now known as Panasonic Corporation). The key specifications for the 2SD1269 transistor are as follows:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 60V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 80V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 1.5A
- **Collector Dissipation (Pc)**: 10W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (depending on the operating conditions)
- **Transition Frequency (ft)**: 120MHz

These specifications are typical for the 2SD1269 transistor and are based on the manufacturer's datasheet.