Power Device **Introduction to the Panasonic 2SD1267 Transistor**  

The **2SD1267** is a high-performance NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Panasonic, designed for general-purpose amplification and switching applications. With a robust construction and reliable electrical characteristics, this component is well-suited for use in consumer electronics, industrial equipment, and automotive systems.  

Key features of the **2SD1267** include a collector-emitter voltage (*V_CE*) of **60V** and a collector current (*I_C*) of **3A**, making it capable of handling moderate power loads. Its high current gain (*h_FE*) ensures efficient signal amplification, while a low saturation voltage enhances switching efficiency. The transistor is housed in a compact **TO-220** package, providing good thermal dissipation and mechanical stability.  

Engineers often select the **2SD1267** for its balance of performance and durability, particularly in circuits requiring dependable power control. Its specifications make it compatible with a variety of driver stages and power supply designs.  

When integrating the **2SD1267**, proper heat management and adherence to recommended operating conditions are essential to maximize longevity and performance. As with all semiconductor devices, consulting the datasheet for precise ratings and application guidelines is strongly advised.

Power Device The part 2SD1267 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Mitsubishi Electric Corporation. It is designed for use in high-frequency amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 60V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 80V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 5V
- **Collector Current (Ic):** 1.5A
- **Total Power Dissipation (Ptot):** 10W
- **Transition Frequency (ft):** 120MHz
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SD1267 transistor as provided by Mitsubishi Electric.