Power Device The part 2SD1266A is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Panasonic. Key specifications include:

- **Type**: NPN
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 120V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 120MHz
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the information provided in Ic-phoenix technical data files.

Power Device The part 2SD1266A is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by 松下 (Panasonic). Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Transistor
- **Package**: TO-220F
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 120V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 3A
- **Collector Dissipation (PC)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = 2V)
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz (min)
- **Applications**: General-purpose amplification and switching

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the operating conditions and test environments defined by Panasonic.