Power Device The 2SD1266 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in high-speed switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 30V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 3A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz

The transistor is packaged in a TO-92MOD form factor.

Power Device The 2SD1266 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Panasonic. It is designed for use in general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 120V
- **Collector Current (Ic):** 3A
- **Collector Power Dissipation (Pc):** 30W
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Transition Frequency (fT):** 50MHz
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SD1266 transistor, and actual performance may vary based on operating conditions.

Power Device The part 2SD1266 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (now Panasonic Corporation). Below are the key specifications for the 2SD1266 transistor:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 60V
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 50V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V
- **Collector Current (I_C)**: 1.5A
- **Total Power Dissipation (P_TOT)**: 1W
- **Junction Temperature (T_J)**: 150°C
- **Storage Temperature Range (T_STG)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (h_FE)**: 60 to 320 (depending on operating conditions)
- **Transition Frequency (f_T)**: 120MHz
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the manufacturer's datasheet for the 2SD1266 transistor.