Power Device The part 2SD1264A is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Panasonic. Here are its key specifications:

- **Type**: NPN transistor
- **Package**: TO-220F
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 120V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 3A
- **Collector Dissipation (Pc)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (ft)**: 20MHz
- **Storage Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are typical for the 2SD1264A transistor as provided by Panasonic.

Power Device The part 2SD1264A is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Panasonic. Here are its key specifications:

- **Type:** NPN Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 120V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 120V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 5V
- **Collector Current (Ic):** 1.5A
- **Collector Dissipation (Pc):** 10W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at Vce=2V, Ic=0.5A)
- **Transition Frequency (fT):** 80MHz (at Vce=10V, Ic=0.5A, f=1MHz)
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SD1264A transistor and are used in various electronic applications requiring medium power amplification.