Silicon NPN triple diffusion planar type The part 2SD1264A-P is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Panasonic. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Transistor
- **Package**: TO-220F (isolated type)
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 120V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 3A
- **Collector Dissipation (PC)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = 2V)
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz (min)
- **Applications**: General-purpose amplification and switching.

This transistor is designed for use in a variety of electronic circuits, including audio amplifiers and power supply regulators.