Power Device The 2SD1260 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Matsushita (now Panasonic). Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 120V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 1.5A
- **Collector Dissipation (Pc)**: 10W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (ft)**: 50MHz
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the manufacturer's datasheet for the 2SD1260 transistor.