Power Device The part 2SD1257 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor manufactured by Panasonic. Here are the key specifications:

- **Type:** NPN
- **Material:** Silicon
- **Structure:** Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 60V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 80V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 5V
- **Collector Current (Ic):** 3A
- **Total Power Dissipation (Pt):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz
- **Package:** TO-220

These specifications are based on the manufacturer's datasheet for the 2SD1257 transistor.