Power Device The 2SD1250 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Panasonic (松下). Here are the key specifications:

- **Type:** NPN
- **Material:** Silicon
- **Package:** TO-220F
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 120V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 120V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 5V
- **Collector Current (Ic):** 3A
- **Collector Dissipation (Pc):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Transition Frequency (ft):** 30MHz

These specifications are typical for the 2SD1250 transistor and are subject to standard manufacturing tolerances.

Power Device The 2SD1250 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Panasonic. Below are the key specifications:

- **Type:** NPN Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 150V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 150V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 5V
- **Collector Current (Ic):** 1.5A
- **Collector Dissipation (Pc):** 20W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 40 to 320 (depending on conditions)
- **Transition Frequency (fT):** 50MHz
- **Package:** TO-220

These specifications are based on standard operating conditions. Always refer to the official datasheet for detailed and precise information.