NPN Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistors Driver Applications The part 2SD1229 is a transistor manufactured by SANYO. It is an NPN silicon epitaxial planar type transistor, primarily used for power amplification in electronic circuits. The key specifications of the 2SD1229 transistor include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 120V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 2A
- **Collector Dissipation (PC):** 20W
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Transition Frequency (fT):** 50MHz
- **Operating Junction Temperature (Tj):** 150°C

These specifications are typical for the 2SD1229 transistor and are used in various applications requiring medium power amplification.