Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (darlington) Pulse Motor Drive, Hammer Drive Applications Switching Applications Power Amplifier Applications The 2SD1224 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications from the TOS (Toshiba) datasheet:

- **Type**: NPN
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 120V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Total Power Dissipation (PT)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 80MHz
- **Package**: TO-92MOD

These specifications are based on the Toshiba datasheet for the 2SD1224 transistor.