Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (darlington) Switching Applications Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications Power Amplifier Applications The 2SD1223 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type:** NPN
- **Material:** Silicon
- **Structure:** Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 120V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 120V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 5V
- **Collector Current (Ic):** 3A
- **Collector Dissipation (Pc):** 30W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at Vce=2V, Ic=0.5A)
- **Transition Frequency (fT):** 30MHz (min)
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SD1223 transistor and are subject to variation based on operating conditions and manufacturing tolerances.