Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (darlington) Switching Applications Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications Power Amplifier Applications The part 2SD1222 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications from the TOS (Toshiba) datasheet:

1. **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
2. **Package**: TO-220
3. **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 120V
4. **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 120V
5. **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
6. **Collector Current (IC)**: 3A
7. **Base Current (IB)**: 0.5A
8. **Total Power Dissipation (PT)**: 25W
9. **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
10. **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
11. **DC Current Gain (hFE)**: 60-320 (at IC = 1A, VCE = 2V)
12. **Transition Frequency (fT)**: 30MHz (at IC = 1A, VCE = 10V)
13. **Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat))**: 0.5V (max) (at IC = 3A, IB = 0.3A)
14. **Base-Emitter Saturation Voltage (VBE(sat))**: 1.2V (max) (at IC = 3A, IB = 0.3A)

These specifications are based on the Toshiba datasheet for the 2SD1222 transistor.

Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (darlington) Switching Applications Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications Power Amplifier Applications The 2SD1222 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Here are its key specifications:

- **Type:** NPN
- **Material:** Silicon
- **Package:** TO-220F
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 120V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 3A
- **Collector Dissipation (PC):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = 2V)
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz (min)
- **Applications:** General-purpose amplification and switching

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SD1222 transistor.