Transistor Silicon NPN Diffused Type (PCT process) Audio Frequency Power Amplifier Application The 2SD1221 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor manufactured by TOSHIBA. Below are the key specifications:

- **Type:** NPN
- **Material:** Silicon
- **Structure:** Epitaxial Planar
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 3A
- **Collector Dissipation (PC):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = 1A, VCE = 5V)
- **Transition Frequency (fT):** 30MHz (at IC = 1A, VCE = 5V, f = 100MHz)
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SD1221 transistor and are based on TOSHIBA's datasheet.

Transistor Silicon NPN Diffused Type (PCT process) Audio Frequency Power Amplifier Application The 2SD1221 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Its specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 120V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 10W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = 2V)
- **Transition Frequency (fT):** 50MHz (at IC = 0.5A, VCE = 2V, f = 1MHz)
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SD1221 transistor and are subject to standard manufacturing variations.