Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) Power Amplifier Applications The 2SD1220 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by TOSHIBA. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 120V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Collector Power Dissipation (PC)**: 10W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = 2V)
- **Transition Frequency (fT)**: 50MHz (at IC = 0.5A, VCE = 2V, f = 100MHz)
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SD1220 transistor and are subject to standard manufacturing tolerances.