SI NPN PLANAR DARLINGTON The part 2SD1216 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications from the TOS (Toshiba) datasheet:

1. **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
2. **Package**: TO-220F (fully molded)
3. **Applications**: Designed for use in general-purpose amplification and switching applications.
4. **Electrical Characteristics**:
   - **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 120V
   - **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 120V
   - **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
   - **Collector Current (IC)**: 3A
   - **Collector Dissipation (PC)**: 25W
   - **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
   - **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to 150°C
5. **Current Gain (hFE)**: Typically 60 to 320 (measured at IC = 1A, VCE = 2V)
6. **Transition Frequency (fT)**: 20MHz (measured at IC = 0.5A, VCE = 10V)
7. **Mounting**: Through-hole mounting with a metal tab for heat dissipation.

These specifications are based on the Toshiba datasheet for the 2SD1216 transistor. For detailed performance curves and additional parameters, refer to the official datasheet.