Silicon NPN Epitaxial, Darlington The 2SD1209 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by HITACHI. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 120V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Total Power Dissipation (PT)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = 2V)
- **Transition Frequency (fT)**: 80MHz (at IC = 0.5A, VCE = 2V, f = 10MHz)
- **Package**: TO-92MOD

These specifications are based on the typical characteristics and ratings provided by HITACHI for the 2SD1209 transistor.