PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors The 2SD1207S is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by SAY. It is designed for use in general-purpose amplification and switching applications. The key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 120V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -55°C to +150°C
- **Package:** TO-92

These specifications are typical for the 2SD1207S transistor as provided by the manufacturer SAY.